Mojtaba195 نوشته است:
درود بر شما استاد عزیز
فرکانس خود نوسانی که فرمودین 2 مگ هست توسط کدام عامل در مدار ایجاد میشه ؟
مقاومت های یک کیلو با خازن های 560 پیکو؟
خواهش میکنم.
بنظر من همون ترکیب خازن 560 پیکو و مقاومت 1 کیلو که در امیتر ترانزیستورهای 3 و 4 قرار گرفته و ثابت زمانی 560 نانو ثانیه ای داره عامل این فرکانس حدود 2 مگاهرتز هست. تحلیل فرکانسی تقویت کننده مدار هم نشون میداد که در این حدود فرکانس تقویت مدار به حداکثر خودش میرسه و لذا کمی خود نوسانی در این محدوده فرکانسی غیر طبیعی نیست.
در شرایطی که اسیلاتور 8 مگاهرتزی قطع باشه ؛ نزدیک شدن به محدوده هدف سبب افزایش دامنه همین فرکانس ضعیف 2 مگاهرتزی در مدار میشه که البته فقط با اسکوپ قابل مشاهده هست. اما وقتی اسیلاتور 8 مگاهرتز وجود داشته باشه ؛ نزدیک شدن به هدف سبب افزایش دامنه سیکلهای سینوسی بصورت یکی از هر 4 سیکل میشه و 3 سیکل مابین اونها تغییر خاصی نمیکنه. معنیش این هست که فقط فرکانس 2 مگاهرتز تقویت میشه و 8 مگاهرتز عملا تغییر محسوسی نداره!
لازم به ذکره این شرایط تغییر موج در اثر نزدیکی به میدان هدف هیچ ارتباط و مشابهتی با سنس جرقه و فندک و موبایل و فلز جدید و امثالهم نداره و اونها بدلیل مسائل دیگری سنس میشن که مد نظر ما نیست ولی متاسفانه مدار همه اینها رو سنس میکنه. ماهیت میدان هدف هم برای من مشخص نیست چون میدان الکتریکی مثل اشیاء باردار و یا میدان مغناطیسی مثل آهنربا اصلا چنین واکنشی رو در دستگاه ایجاد نمیکنن.